據韓媒ZDNet Korea報道，長江存儲正在和長鑫存儲合作，計劃聯合開發 DRAM 和 HBM 產品。

按照目前的方案，長鑫存儲提供DRAM，長江存儲則貢獻其在混合鍵合方面的技術能力，而這種工藝很可能會被用到下一代 HBM 產品中。

眾所周知，長江存儲長期專注在NAND閃存領域，而長鑫存儲的主力方向是 DRAM，兩者合作無疑是一次存儲產業鏈上的強強聯合。

尤其是在 HBM 這一高性能存儲方向上，混合鍵合技術是關鍵突破口。

與傳統的焊球連接方式不同，混合鍵合是讓芯片層與層之間直接銅對銅連接，既能減小封裝厚度，也能提升性能和散熱效果。

早在五年前，長江存儲就已經在 NAND 閃存中率先應用這種技術，并把它發展成了自家的 Xtacking 工藝，已經在 X2、X3、X4 等一系列 NAND 產品中成熟量產。

如今拿出來和 DRAM 進行結合，可以說潛力無限。

業內猜測，此次長江存儲和長鑫存儲合作，與8月31日特朗普頒布的豁免令相關。

8月31日，特朗普宣布三星和SK海力士將不被允許向中國工廠運送新的美國制造設備。

這意味著這2家公司更難在中國生產芯片，換句話說，中國的DRAM和HBM市場是本土廠商一個難得的窗口期。

此次長江存儲和長鑫存儲合作，正好踩在這個時間點上，可以借此加快縮小與海外廠商在 HBM 領域的技術差距。

當然，特朗普的這一措施，也被認為是為了美國存儲廠商美光的發展。

目前的 HBM 市場基本是三足鼎立格局。三星、SK 海力士和美光三家長期壟斷，其中 SK 海力士因為和英偉達的深度合作，占據了超過一半的市場份額。

三星、SK 海力士受限，美光也可以借機拓展。

近期美光宣布將其 DRAM 市場份額提升至 21.5%，并計劃到 2025 年底將市場份額將擴大到 25%。

對國內廠商來說，這也是一個難得的突破口。目前長鑫存儲已準備在明年量產第四代 HBM3 芯片，雖然和三星、SK 海力士的 HBM3E 產品相比還有差距，但差距縮小的速度比外界預期的更快。

與此同時，華為也在存儲硬件領域持續發力，推出了面向高性能數據中心的 AI 固態硬盤，進一步豐富了國內高性能存儲的生態。