近日，美光確認已向客戶交付業績速度最快的HBM4 DRAM，其引腳速度達到11 Gbps，帶寬高達2.8 TB/s。同時美光宣布將于將與臺積電合作開發下一代 HBM4E，預計2027年推出。

財報顯示，美光2025財年第四季度營收為113.2億美元，環比增長20%以上，全年營收從251.1億美元增至373.8億美元，主要得益于DRAM和NAND業務在性能升級與需求擴張上的雙重驅動。

隨之而來的，是存儲市場價格的全面上漲。

據消息人士表示，原廠的策略是抓大放小，高毛利產品優先漲價，尤其是RDIMM DRAM和企業級SSD，目的是測試市場接受度。

目前 DDR4臨近停產，供應趨緊，DDR4和DDR5價格均出現明顯上漲，其中DDR5平均漲幅在15%-20%，部分DDR4特殊規格漲幅甚至超過20%。

美光與臺積電的合作還包括生產HBM4E所需的邏輯芯片，涵蓋標準版和定制版。隨著數據中心業務已占美光營收的一半以上，并預計在2026年繼續提升，美光正與客戶提前規劃供需，以確保AI和服務器市場的持續增長。

除了HBM，高帶寬存儲之外，傳統存儲市場也在調整。

TrendForce預計，2025年第四季度傳統DRAM價格將環比上漲8%-13%，若計入HBM，整體漲幅可達13%-18%。

其中DDR5需求依舊強勁，而DDR4因停產導致的稀缺，也推高了價格。

NAND方面，盡管消費市場需求有限，但云廠商對大容量SSD的急單推動了價格上漲，上游產能也被優先分配至高毛利產品。

此外，美光也在陸陸續續推進GDDR7內存和1γ DRAM節點的發展。

其中GDDR7預計引腳速度將超過40 Gbps，比此前32 Gbps版本提升25%，并在GPU領域得到應用。

1γ DRAM節點的成熟良率也創下新紀錄，比上一代快了50%，G9 NAND產能同步提升，支持TLC和QLC方案，為數據中心及高性能存儲市場提供更多解決方案。

總體來看，美光的戰略布局主要在以下3個方面。

第一，高帶寬內存（HBM4/HBM4E）已經進入量產和技術升級階段；第二，DRAM和NAND價格全面上揚，高端市場優先保障，利潤提升明顯；第三、新一代內存技術（GDDR7、1γ DRAM、G9 NAND）加速落地，進一步服務AI和數據中心市場。

短期內，隨著價格調升和需求旺盛，存儲器市場正在經歷新一輪調整。這不僅直接提升了上游企業盈利，也讓下游客戶的成本與采購壓力顯著增加。