芯片尺寸擴大可提高處理能力，但同時也考驗廠商的芯片制造能力。據媒體報道，由于GPU晶粒、LSI橋接、RDL中介層和主基板之間的熱膨脹系數（CTE）相異，易導致芯片翹曲、系統故障，所以為了提升良率，英偉達重新設計GPU芯片頂部金屬層和凸點。不只是AI芯片RTO（重新流片）修改設計，據供應鏈透露，目前準備發布的50系列的顯卡也需要RTO，上市時間較原計劃延期。

據此前于8月25日報道稱，從業者估計，英偉達兩年一度大改款的下一代RTX 50（名稱型號未定）系列，雖然有望在第四季底前揭露消息，但新品上市的日期預計將晚至明年第一季度之后，各顯卡廠新品放量日期也將推延至明年第二季度左右。

關于AI芯片Blackwell，英偉達CEO黃仁勛稱其有“非常非常大的GPU”，這也是目前業界面積最大的GPU，由兩顆Blackwell芯片拼接而成，并采用臺積電4納米制程，擁有2080億個晶體管，然而難免遇到封裝方式過于復雜的問題。

據介紹，CoWoS-L封裝技術，使用LSI（本地硅互連）橋接RDL（硅中介層）連接晶粒，傳輸速度可達10/TBs左右。但封裝步驟中，由于橋接放置精度要求極高，稍有缺陷都可能導致價值4萬美元的芯片報廢，從而影響良率及獲利。

報道稱，相關的芯片設計問題將不會只是英偉達所獨有。供應鏈透露，這類問題只會越來越多，為了消除缺陷或為提高良率而變更芯片設計，在業內相當常見。

AMD首席執行官蘇姿豐曾透露，隨著芯片尺寸不斷擴大，制造復雜度將不可避免地增加。下一代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能滿足AI數據中心對算力的巨大需求。