1.4nm來(lái)了,1nm制程也在路上!

一片晶圓 4.5萬(wàn)美元,折合人民幣約 32萬(wàn),相當(dāng)于一輛中高端汽車的價(jià)格。這就是臺(tái)積電計(jì)劃在 2028 年量產(chǎn)的 1.4nm 工藝晶圓。
8月28日最新報(bào)道,臺(tái)積電中科新廠已提前至今年10月動(dòng)工,總投資金額高達(dá) 1.2–1.5 兆新臺(tái)幣(約 2814 億-3517.5 億人民幣)。
1.4nm的2座廠房預(yù)計(jì)2027年底前完成風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),2028年下半年正式量產(chǎn),新廠初估營(yíng)業(yè)額可望超過(guò)5000億元新臺(tái)幣。
后續(xù)第二期二座廠,將有可能直接推進(jìn)至A10(1nm)制程。
對(duì)比過(guò)去10年,臺(tái)積電的晶圓成本可以說(shuō)是直線上升。
2013 年,蘋(píng)果 A7 芯片(28nm 工藝),每片晶圓約 5000 美元;
2020 年,A14 芯片(5nm 工藝),已經(jīng)漲到 1.6 萬(wàn)美元;
2023 年,A18 Pro(3nm 工藝),成本 1.8 萬(wàn)美元;
2025 年,2nm 工藝,報(bào)價(jià)將沖到 3 萬(wàn)美元;
2028 年,1.4nm 預(yù)計(jì)達(dá)到 4.5 萬(wàn)美元。
10年間,晶圓價(jià)格翻了近9倍,當(dāng)然性能也提升了幾十倍。
據(jù)悉,A14 芯片基于臺(tái)積電第二代全環(huán)繞柵極(GAA)納米片晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)。對(duì)比2nm工藝,其性能提升了15%,功耗降低了30%,晶體管密度增加20%以上。
臺(tái)積電不僅在中科新建 1.4nm 廠,同時(shí)還在多地鋪開(kāi)晶圓廠。
新竹寶山二廠已經(jīng)調(diào)整為 1.4nm 與研發(fā)線,三廠規(guī)劃 1nm,甚至不排除未來(lái)的 0.7nm。
臺(tái)積電已規(guī)劃在臺(tái)南沙侖園區(qū)興建1nm先進(jìn)制程基地,土地面積達(dá)500公頃來(lái)看,初估可興建10座晶圓廠。
從中國(guó)臺(tái)灣到美國(guó)亞利桑那,臺(tái)積電的產(chǎn)能地圖已經(jīng)把 2nm、1.4nm、1nm 全部納入排兵布陣。
目前,臺(tái)積電、三星、英特爾均已布局1.4nm賽道,但技術(shù)各異。
英特爾的1.4nm工藝叫做“Intel 14A”,采用高數(shù)值孔徑(High-NA)光刻機(jī)與背面供電技術(shù),此前表示2026年發(fā)布,但近期英特爾頻頻出事,又表示將停止14A。
而三星計(jì)劃在2027年量產(chǎn)自己的1.4nm技術(shù),通過(guò)增加納米片層數(shù)提升性能。但不久前有消息稱,三星可能已經(jīng)悄悄取消了這項(xiàng)計(jì)劃,原因不明。
此外,臺(tái)積電2nm制程如期于2025年第4季放量,代工報(bào)價(jià)已經(jīng)高達(dá)3萬(wàn)美元(約21萬(wàn)人民幣),據(jù)悉蘋(píng)果A20芯片將首發(fā)臺(tái)積電2nm工藝。
此前的客戶蘋(píng)果、AMD、高通、聯(lián)發(fā)科、博通與英特爾產(chǎn)量將飆升。還有亞馬遜旗下Annapurna、Google等10家大廠也已進(jìn)入量產(chǎn)。
據(jù)悉,臺(tái)積電2nm晶圓廠均已在2022年動(dòng)工,2025年已陸續(xù)投產(chǎn)。
其中,寶山、高雄至2025年底2nm月產(chǎn)能共計(jì)約4.5萬(wàn)~5萬(wàn)片,2026年月產(chǎn)能超過(guò)10萬(wàn)片。
再加計(jì)提前量產(chǎn)的美國(guó)亞利桑那州廠(Fab21)P2廠,2028年約將達(dá)20萬(wàn)片,而接下來(lái)的新增產(chǎn)能,還有以2nm為主的美國(guó)P3廠。
1.4nm 的量產(chǎn)未來(lái)只有少數(shù)大廠能負(fù)擔(dān)得起、能設(shè)計(jì)得出、能造得出,全球半導(dǎo)體的格局或許也會(huì)因此越來(lái)越集中。



