8月1日，英偉達官網更新了800V直流電源架構合作商名單，英諾賽科成為唯一入選的中國芯片公司。該消息一出，直接推動英諾賽科當天大漲64%，市場熱度迅速飆升。

這份名單中還有英飛凌、MPS、羅姆、意法半導體等芯片廠商，與這些老牌大廠并列，英諾賽科的技術實力已經具備國際競爭力。

隨著AI 算力需求呈指數級增長，GPT-4訓練算力已達GPT-3的68倍，據公開數據，全球算力規模預計從 2023年 的1494.9 EFlops 增長至 2028年 的18282.3 EFlops。

數據中心面臨的電力壓力也越來越大，目前全球數據中心的用電量已占總用電的1.4%，而電源轉換效率已成為限制其發展的關鍵瓶頸。

傳統硅基電源架構在高負載條件下，功率損耗可達10%左右。而氮化鎵（GaN）器件可以把轉換效率提升到96%以上，不僅超過了傳統鈦金級標準，還能將功率密度提升3倍以上，在AI時代的數據中心應用中具備明顯優勢。

尤其是傳統的54V供電架構，已難以支撐動輒每個機柜300kW以上的功率需求。英偉達主導的新一代800V高壓直流電源架構，通過簡化能量轉換路徑，不僅能減少30%的功耗，還能讓整條供電鏈效率提升5%，同時縮減40%的機房占地面積，幾乎是重新定義了數據中心的供電方式。

英諾賽科正是基于其氮化鎵IDM一體化模式和在高功率GaN技術上的積累，成為英偉達Kyber機架系統的電源方案供應商，為AI數據中心實現單機房算力密度提升超過10倍提供了技術支撐。

不過，英諾賽科方面也表示，目前與英偉達的合作還處于測試階段，尚未有實質訂單落地。由于正處于半年報披露期，公司暫不對合作的前景和影響作進一步回應。

英諾賽科的技術積淀可以追溯到其創始人、前NASA首席科學家Luo Weiwei博士在氮化鎵材料領域的研究。

該司成立于2015年12月，自2017年珠海長建成通線，英諾賽科僅用七年時間就實現了從初創企業到全球GaN功率半導體出貨量第一的飛躍。

目前，英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓產線。到2024年末，月產能已達到1.3萬片，遠高于行業主流的4-6英寸產線5000-8000片/月。公司還計劃在未來五年將月產能擴展至7萬片，繼續擴大規模優勢。

此次與英偉達的合作，進一步驗證了英諾賽科在AI大功率應用場景中的技術落地能力，也讓其在高端功率市場的商業前景更受關注。

目前，除了英諾賽科，國內在氮化硅和氮化鎵領域還有士蘭微、國睿科技、和而泰、三安光電、亞光科技等企業正積極布局。

據行業預測，全球氮化鎵功率半導體市場將從2023年的17.6億元增長至2028年的500億元以上，年復合增長率高達98%。可以預見，隨著AI、電動車、快充等應用持續落地，這些企業都將在未來幾年迎來高增長窗口。