臺積電又有大動作了，這次的主角是“1.4nm芯片！”

4月24日，臺積電在北美技術(shù)研討會上，正式發(fā)布了最新的A14芯片制造技術(shù)。意味著芯片變得更小，性能更強(qiáng)，能耗也更低了。

臺積電表示，A14計(jì)劃于2028年投產(chǎn)，目前開發(fā)進(jìn)展順利，良率已經(jīng)提前實(shí)現(xiàn)。

A14 芯片基于臺積電第二代全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術(shù)開發(fā)。對比2nm工藝，其性能提升了15%，功耗降低了30%，晶體管密度增加20%以上。

這樣的性能提升取決2個(gè)方面：

• 三維納米片結(jié)構(gòu)優(yōu)化了電流控制能力；

• 臺積電新開發(fā)了一個(gè)名為“NanoFlex Pro”的新架構(gòu)，它允許允許工程師根據(jù)不同場景（如高性能計(jì)算或低功耗設(shè)備）靈活調(diào)整晶體管組合。

從實(shí)際應(yīng)用看，A14將使智能手機(jī)本地運(yùn)行復(fù)雜AI模型成為可能，例如實(shí)時(shí)圖像生成或語音交互；數(shù)據(jù)中心芯片的算力密度提升，可減少服務(wù)器集群規(guī)模。

簡單來說就是，用上這類芯片的手機(jī)、電腦、汽車，不僅速度快、發(fā)熱少、電池更耐用，還能跑得動更復(fù)雜的AI功能。

目前，臺積電、三星、英特爾均已布局1.4nm賽道，但技術(shù)各異。

英特爾的1.4nm工藝叫做“Intel 14A”，采用高數(shù)值孔徑（High-NA）光刻機(jī)與背面供電技術(shù)，預(yù)計(jì)2026年發(fā)布；三星計(jì)劃在2027年量產(chǎn)自己的1.4nm技術(shù)，通過增加納米片層數(shù)提升性能。但不久前有消息稱，三星可能已經(jīng)悄悄取消了這項(xiàng)計(jì)劃，原因不明。

為支撐先進(jìn)制程，臺積電同步推進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新。計(jì)劃2027年量產(chǎn)的CoWoS-R技術(shù)，可將12組高帶寬內(nèi)存（HBM4）與邏輯芯片集成封裝，數(shù)據(jù)傳輸帶寬提升至當(dāng)前水平的3倍。

同時(shí)還推出了硅光子集成方案，用光信號替代傳統(tǒng)電路傳輸數(shù)據(jù)，時(shí)延降低90%，能耗減少70%

此外，臺積電還為手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等不同場景量身打造了技術(shù)路線。比如，用于AI服務(wù)器的系統(tǒng)級封裝（CoWoS）、用于高端汽車的N3A工藝、還有能大幅節(jié)能的N6e和N4e技術(shù)，都是為了應(yīng)對各類“芯”場景。

1.4nm芯片不僅是一次技術(shù)的進(jìn)化，更是芯片行業(yè)向未來邁進(jìn)的重要一步。從最初的90nm，到今天的1.4nm，每一次工藝迭代都在縮短人與智能之間的距離。

未來，我們或許還能見證更強(qiáng)的AI手機(jī)、更智能的汽車，甚至是更高效的城市運(yùn)轉(zhuǎn)。