半導(dǎo)體行業(yè)的三大巨頭SK海力士、臺積電和NVIDIA即將展開深度合作，共同開發(fā)下一代高頻寬內(nèi)存技術(shù)（HBM）。

這一合作計劃預(yù)計將在9月的中國臺灣國際半導(dǎo)體展（Semicon Taiwan）上正式宣布，屆時SK海力士社長金柱善將發(fā)表專題演講。

三方的合作將聚焦于HBM技術(shù)的研發(fā)，以期掌握AI服務(wù)器關(guān)鍵零組件的制高點，HBM作為一種高性能的3D堆疊內(nèi)存技術(shù)，對于AI和高性能計算處理器的內(nèi)存性能至關(guān)重要。

合作的目標(biāo)是在2026年實現(xiàn)HBM4的量產(chǎn)，采用臺積電的12FFC+及5納米工藝制造HBM4接口芯片，以實現(xiàn)更微小的互連間距。

SK海力士一直是NVIDIA AI GPU HBM內(nèi)存的獨家供應(yīng)商，預(yù)計在2026年NVIDIA推出的Rubin系列將正式采用HBM4技術(shù)。

這一合作將進(jìn)一步鞏固三方在AI半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)地位，并擴(kuò)大與等競爭對手的差距。

此外，臺積電也在加強(qiáng)其CoWoS-L和CoWoS-R等封裝技術(shù)產(chǎn)能，以支持HBM4的大規(guī)模量產(chǎn)。